| 发明名称 | GaN层生长方法及所得LED外延层和LED芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种GaN层生长方法及所得LED外延层和LED芯片，其中生长方法，包括以下步骤：S1步骤：在950℃下，反应压力为400～500mbar的条件下，在GaN成核层上持续生长200～400s的第一GaN层；S2步骤：然后升温至1000～1050℃，反应压力为500～600mbar的条件下，在所述第一GaN层上持续生长800～1000s的第二GaN层，得到所述GaN层。本发明提供的生长方法通过调整GaN层的生长温度、生长压力和在相应条件下的生长时间，实现对GaN晶体的分段生长，使分段生长所得具有少许差别的GaN晶体相互配合，从而实现了GaN晶体的结晶质量的提升，并减少GaN晶体与衬底晶体之间的晶格失配。 | ||
| 申请公布号 | CN105070652A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510488972.4 | 申请日期 | 2015.08.11 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 封智强 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙) 43211 | 代理人 | 黄子平 |
| 主权项 | 一种GaN层生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1步骤：在950℃，反应压力为400～500mbar的条件下，在GaN成核层上持续生长200～400s的第一GaN层；S2步骤：然后升温至1000～1050℃，反应压力为500～600mbar的条件下，在所述第一GaN层上持续生长800～1000s的第二GaN层，得到所述GaN层。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园 | ||