SEMICONDUCTOR DEVICES METHODS OF MANUFACTURE THEREOF AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE FEATURES

摘要

반도체 디바이스들, 그 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 도전성 피처들을 형성하는 방법이 개시된다. 반도체 디바이스는 워크피스 위에 배치된 절연 물질층을 포함한다. 절연 물질층은 약 13% 이상의 탄소(C)를 포함한 실리콘 함유 물질을 포함한다. 도전성 피처는 절연 물질층 내에 배치된다. 도전성 피처는 도전성 피처 윗면상에 배치된 캡층을 포함한다.