| 摘要 |
구조물은 반도체 기판 위에 형성된 패시베이션 층, 패시베이션 층에 의해 에워싸인 접속 패드, 패시베이션 층 위에 형성되며 접속 패드에 접속된 재분배 층, 재분배 층 위에 형성되며 재분배 층에 접속된 범프 및 재분배 층 위에 형성된 몰딩 컴파운드 층을 포함한다. 몰딩 컴파운드 층은 평평한 부분과 돌출 부분을 포함하며, 범프의 하부 부분은 몰딩 컴파운드 층의 평평한 부분에 매립되고, 범프의 중간 부분은 몰딩 컴파운드 층의 돌출 부분에 의해 둘러싸인다. |
