发明名称 |
一种静电保护电路 |
摘要 |
本发明涉及电路电子技术领域,具体涉及一种静电保护电路,通过构建一包括触发模块、电流产生单元和SCR模块的静电保护电路,当VDD有正的ESD脉冲时,RC耦合效应使第一NMOS管的栅极变为高电平,产生从VDD到第一PMOS管、第一NMOS管到GND的第一电流,第二PMOS管导通,产生第二电流,使NPN三极晶体管开启,NPN三极晶体管的集电极电流流经第一电阻使得PNP三极晶体管的发射极-基极正偏,PNP三极晶体管开启,此正反馈效应使得PNP三极晶体管、NPN三极晶体管形成的SCR开启放电。本技术方案的触发电压低、响应速度快,电路仅需很小的尺寸就可以实现非常好的ESD保护性能。 |
申请公布号 |
CN105071365A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510401709.7 |
申请日期 |
2015.07.09 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
单毅 |
分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
俞涤炯 |
主权项 |
一种静电保护电路,其特征在于,所述电路包括:SCR模块,包括串联连接的第一电阻、NPN晶体管和串联连接的PNP晶体管、第二电阻,所述第一电阻的一端连接到第一参考电压,所述第一电阻的与所述一端相对的另一端与PNP晶体管的基极共同连接到NPN晶体管的集电极,所述第二电阻的一端连接到第二参考电压,所述第二电阻的相对于与所述一端的另一端与NPN的基极共同连接到PNP晶体管的集电极,以及所述NPN晶体管的发射极连接到第二参考电压,所述PNP的发射极连接到第一参考电压;触发模块,提供触发信号;电流产生单元,在接收到所述触发信号时提供一个预设电流;其中当施加在第一参考电压上的ESD静电脉冲在触发所述触发模块产生触发信号时,电流产生单元产生的预设电流流经第二电阻,藉此在第二电阻上产生压降从而使NPN晶体管导通并进一步使PNP晶体管导通来触发SCR导通,以此释放ESD静电来稳定该第一参考电压。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |