一种锑化镓单晶片的钝化方法

摘要

本发明公开了一种锑化镓单晶片的钝化方法。其步骤是：抛光之后将陶瓷盘取下，使用去离子水对陶瓷盘喷淋，喷淋时间在10-30s；喷淋后将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；溶液温度为5-30℃；溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5-10mm；钝化时长为20-120s；钝化结束后将陶瓷盘取出，用去离子水冲洗，用压缩空气吹干后，准备进行下一步的清洗工艺。采用硫化铵溶液对抛光结束后的锑化镓晶体表面进行钝化处理，可以以较快的速率在晶片表面形成数个纳米厚的硫化物钝化层。这一硫化层分布均一，在空气中化学性质稳定，不会与氧气自发作用，在较长的时间尺度上保持了化学成分的固定，大大提高了成品锑化镓晶片的表面电学性能。

主权项

一种锑化镓单晶片的钝化方法，其特征在于，化学机械抛光之后，将载有锑化镓单晶片的陶瓷盘取下，迅速使用去离子水对陶瓷盘进行喷淋，喷淋时间控制在10‑30s；喷淋结束后，将陶瓷盘直接浸入硫化铵溶液中；硫化铵溶液温度为5‑30℃；硫化铵溶液用量为液面没过锑化镓单晶片表面5‑10mm；钝化时长为20‑120s；钝化工艺结束后将陶瓷盘取出，用去离子水冲洗，直至残留的硫化铵溶液全部洗净；用压缩空气吹干后，准备进行下一步的清洗工艺。