| 发明名称 | 一种MOSFET芯片封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片，载板，所述单颗MOSFET芯片正面通过其上的凸点与载板上的载板焊盘进行连接，单颗MOSFET芯片和载板之间具有填充物，且所述单颗MOSFET芯片背面通过导电层也与所述载板焊盘进行连接，且导电层覆盖于MOSFET芯片背面和芯片与载板之间的一部分填充物的表面，芯片正面还包括与凸点连接的导电线路层。 | ||
| 申请公布号 | CN204792769U | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201520531142.0 | 申请日期 | 2015.07.21 |
| 申请人 | 宁波芯健半导体有限公司 | 发明人 | 曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人 | 胡小永 |
| 主权项 | 一种MOSFET芯片封装结构，封装结构包括单颗MOSFET芯片(100)，载板(500)，其特征在于，所述单颗MOSFET芯片(100)正面通过其上的凸点(400)与载板(500)上的载板焊盘(501)进行连接，单颗MOSFET芯片(100)和载板(500)之间具有填充物(600)，且所述单颗MOSFET芯片(100)背面通过导电层(700)也与所述载板焊盘(501)进行连接，且导电层(700)覆盖于MOSFET芯片背面和芯片(100)与载板(500)之间的一部分填充物(600)的表面，芯片正面还包括与凸点(400)连接的导电线路层(300)。 | ||
| 地址 | 315327 浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区中横路18号 | ||