用于形成太阳能电池的空间定位扩散区的掺杂剂的离子注入

摘要

本发明公开了使用掺杂有第一导电类型掺杂剂的覆盖膜层来形成太阳能电池的扩散区(231)。在所述覆盖膜层的选定区域中注入第二导电类型掺杂剂以形成所述第二导电类型的掺杂剂源区域(232)。通过使所述第一导电类型掺杂剂和所述第二导电类型掺杂剂从所述覆盖膜层扩散进下面的硅材料来形成所述太阳能电池的扩散区(233)。所述覆盖膜层可为掺杂有硼的P型掺杂剂源层，其中在所述P型掺杂剂源层的选定区域中注入磷以在所述P型掺杂剂源层中形成N型掺杂剂源区域。

主权项

一种形成太阳能电池的扩散区的方法，所述方法包括：在硅材料上形成包含P型掺杂剂的P型掺杂剂源层；通过离子注入将N型掺杂剂注入所述P型掺杂剂源层的选定区域，以在所述P型掺杂剂源层中形成N型掺杂剂源区域；通过使N型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的N型掺杂剂源区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的N型扩散区；以及通过使P型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的其他区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的P型扩散区，所述P型掺杂剂源层的其他区域为所述P型掺杂剂源层的未注入N型掺杂剂的区域。