蚀刻方法;ETCHING METHOD

摘要

本发明提供一种将氧化矽所构成之区域加以蚀刻的方法。 本发明一实施形态之方法，包含：一步骤(a)，将具有氧化矽所构成之区域之被处理体曝露于含有氟碳化物的气体，其中，将该区域加以蚀刻，并在该区域上形成含有氟碳化物的沉积物；以及另一步骤(b)，藉由前述沉积物所含之氟碳化物的自由基将前述区域加以蚀刻。在该方法之中，交互重覆进行步骤(a)与步骤(b)。