| 摘要 |
本发明提供一种半导体制造使用吸附盘之结构，包含底座、多个缓冲层、铜箔层以及树脂层，其中底座之上设有至少一缓冲层，在缓冲层之上设有一铜箔层，以及一树脂层，该树脂层设于该铜箔层之上，其中底座、各缓冲层、铜箔层及树脂层与相邻各层之间设有黏着层。其中，本发明在该树脂层或任一该缓冲层之侧边向该底座之方向更进一步设有一侧裙。本发明之侧裙可将受阳极处理之底座覆盖，配合树脂层及缓冲层的设置不仅能使吸附盘整体不受电浆影响，减少吸附盘之老化被侵蚀程度和阳极氧化该树脂层表面与底座相接处生成物的累积，提高吸附盘之使用寿命。 |
