| 摘要 |
고감도, 고해상성(고해상력 등), 막 감소 저감 성능을 매우 고차원으로 동시에 만족하는 패턴 형성 방법을 이용한다. (1) 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 막을 형성하는 공정과, (2) 막을 활성 광선 또는 방사선으로 노광하는 공정과, (3) 유기 용제를 포함한 현상액을 이용하여 노광된 막을 현상하는 공정을 포함한 패턴 형성 방법으로서, 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, (A) 산의 작용에 의하여 분해하여, 극성기를 발생하는 기를 갖는 수지를 함유하고, 수지 (A)가, 페놀성 수산기 및/또는 산의 작용에 의하여 탈리하는 기로 보호된 페놀성 수산기를 가지며, 추가로, 유기 용제를 포함하는 현상액이, 극성기와 이온 결합, 수소 결합, 화학 결합 및 쌍극자 상호 작용 중 적어도 하나의 상호 작용을 형성하는 첨가제를 함유하는, 패턴 형성 방법. |
