半导体装置之制造方法;MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜电晶体的结构之制造方法，其中，形成通道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含藉由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜电晶体，并且，以低于第一热处理的温度之温度，执行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜电晶体，其中，形成通道的临界电压是正的且尽可能接近OV，但不会视通道长度而定。