发明名称 |
单埠静态随机存取记忆体(七);SINGLE PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (7) |
摘要 |
本发明提出一种单埠静态随机存取记忆体,其主要包括一记忆体阵列、复数个控制电路(2)、复数个预充电电路(3)以及一待机启动电路(4),该记忆体阵列系由复数列记忆体晶胞与复数行记忆体晶胞所组成,每一列记忆体晶胞设置一个控制电路,且每一记忆体晶胞(1)系包括一第一反相器(由一第一PMOS电晶体P11与一第一NMOS电晶体M11所组成)、一第二反相器(由一第二PMOS电晶体P12与一第二NMOS电晶体M12所组成)及一存取电晶体(由第三NMOS电晶体M13所组成)。每一控制单元(2)系连接至对应列记忆体晶胞中之每一记忆体晶胞的该第一NMOS电晶体(M11)的源极以及该第二NMOS电晶体(M12)的源极,以便因应不同操作模式而控制该第一NMOS电晶体(M11)的源极电压以及该第二NMOS电晶体(M12)的源极电压,藉此于写入模式时,可有效防止写入逻辑1困难之问题,于读取模式时,可于提高读取速度的同时,亦避免无谓的功率耗损,于待机模式时,可有效降低漏电流,而于保持模式时则可维持原有的电气特性。再者,藉由该待机启动电路(4)的设计,以有效促使具单埠SRAM快速进入待机模式,并因而有效提高单埠静态随机存取记忆体之待机效能。 |
申请公布号 |
TW201543483 |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
申请号 |
TW103116491 |
申请日期 |
2014.05.09 |
申请人 |
修平学校财团法人修平科技大学 HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
发明人 |
萧明椿 SHIAU, MING CHUEN;余佩虹 YU, PEI HONG |
分类号 |
G11C11/413(2006.01);G11C11/4193(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
台中市大里区工业路11号 TW |