| 发明名称 |
矽晶圆;SILICON WAFER |
| 摘要 |
本发明当使氮化物半导体层于矽晶圆上磊晶成长时，抑制晶圆破裂、或位错伸展而产生较大之翘曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)之交点和正面(3)与第一倾斜面(6)之交点之间的沿正面(3)之方向之第一投影长设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)之交点和背面(4)与第二倾斜面(7)之交点之间的沿背面(4)之方向之第二投影长设为a2μm，将第一倾斜面(6)距正面(3)之第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)距背面(4)之第二倾斜角设为θ2，将正面(3)与背面(4)之面间隔设为Tμm，根据各参数之值，算出由式a1．tanθ1-a2．tanθ2定义之斜角之形状值，以该形状值成为特定范围内之方式规定斜角之形状。 |
| 申请公布号 |
TW201542853 |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
| 申请号 |
TW104102915 |
申请日期 |
2015.01.28 |
| 申请人 |
环球晶圆日本股份有限公司 GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD. |
发明人 |
仙田刚士 SENDA, TAKESHI;泉妻宏治 IZUNOME, KOJI |
| 分类号 |
C23C16/02(2006.01);C23C16/34(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B29/38(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
