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<p>구리 배선들을 갖는 반도체 디바이스들 및 그 제조 방법들이 제공된다. 일 실시예에서, 구리 배선을 갖는 반도체 디바이스는 FEOL(front end of line) 처리 기판(processed substrate)과 같은 기판 상에 제조된다. 이 방법은 기판 상에 구리층을 형성하는 단계를 포함한다. 구리층은 그레인들로부터 형성된다. 구리층은 변경(modify)되는 바, 변경되는 구리층은 약 0.05 미크론 보다 큰 평균 그레인 사이즈를 갖는다. 이 방법에서, 변경되는 구리층은, 기판을 따라 있는 라인 및 이러한 라인으로부터 위쪽으로 연장되는 비아를 형성하도록 식각된다.</p> |
