用于ｅＤＲＡＭ之增强电容深沟渠电容器

主权项

一种半导体结构，其包含：一半导体基板，其包含至少一处置型基板、位于该处置型基板上方之一经掺杂多晶半导体层、接触该经掺杂多晶半导体层之一顶表面的一上部绝缘体层，及接触该上部绝缘体层之一顶表面的一顶部半导体层；一深沟渠，其自该顶部半导体层之一顶表面延伸至该经掺杂多晶半导体层之一底表面；一电容器，其包含包含该经掺杂多晶半导体层之一部分的一外电极、位于该深沟渠中之一节点介电质，及包含该节点介电质内之至少一填充材料的一内电极；及一存取电晶体，其位于该顶部半导体层中且控制至该内电极之电流流动。