| 发明名称 |
氧化半导体薄膜、半导体装置及制造半导体装置之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI508287 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
| 申请号 |
TW099131261 |
申请日期 |
2010.09.15 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种氧化半导体薄膜，包含：第一区域与第二区域，其中该第一区域包含针状结晶组，其中该第一区域在该第二区域之上，其中该针状结晶组包括c轴方向实质垂直于该氧化半导体薄膜的表面之针状结晶，及其中该第二区域包含微晶。
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| 地址 |
日本 |
