低能量、高剂量砷、磷与硼植入晶圆的安全处理

主权项

一种基材处理方法，其包含：藉由将一掺杂剂布植至一基材上之一膜层内以形成一已布植膜层，该基板系置于一处理室中；在该已布植膜层暴露于大气中的氧气下之前，先将该已布植膜层暴露于一含氧电浆中，以在该已布植膜层上形成一氧化层而将该掺杂剂留在该已布植膜层内，其中该掺杂剂选自于由砷、磷、硼及其组合物所构成之群组中；以及在该布植步骤之后及该暴露于一含氧电浆的步骤之前蚀刻该膜层，其中该蚀刻步骤包括使该已布植膜层暴露于由三氟化氮(NF3)所形成的电浆中。