| 主权项 |
一种半导体装置，包含：第一导电层，在基板之上；第一绝缘层，在该第一导电层之上；氧化物半导体层，在该第一绝缘层之上且与该第一导电层重叠，该氧化物半导体层包括通道区，其中该第一导电层与该通道区重叠；第二导电层，与该氧化物半导体层接触；第三导电层，与该氧化物半导体层接触；第二绝缘层，在该氧化物半导体层、该第二导电层、及该第三导电层之上；以及第四导电层，在该第二绝缘层之上且与该通道区重叠，其中该氧化物半导体层包含第一区及第二区，其中该第一区比该第二区更接近该第二绝缘层，其中该第一区包含晶体，并且该晶体的c轴实质上垂直于该第二绝缘层，其中该第二区具有比该第一区更低的晶性，以及其中包括在该第一区中所有金属元素系包括在该第二区中，以及包括在该第二区中所有金属元素系包括在该第一区中。
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