发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI508329 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW099129344 申请日期 2010.08.31
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小岛章弘;杉崎吉昭;柴田英毅;田村英男;小松哲郎;石川正行
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体发光装置,包含:半导体层,具有第一主表面、形成在该第一主表面对侧上的第二主表面、以及发光层;第一电极,设置在该半导体层的该第二主表面上;第二电极,设置在该半导体层的该第二主表面上;绝缘膜,设置在该半导体层的该第二主表面之侧边上,并包括抵达该第一电极的第一开口以及抵达该第二电极之第二开口;第一互连,设置在该半导体层对侧上的该绝缘膜的表面上并在该第一开口中,并连接至该第一电极;第二互连,设置在该半导体层对侧上的该绝缘膜的表面上并在该第二开口中,并连接至该第二电极;第一金属柱,设置在该第一电极对侧上的该第一互连的表面上;第二金属柱,设置在该第二电极对侧上的该第二互连的表面上;树脂,设置在该第一金属柱与该第二金属柱之间;以及萤光层,面对该半导体层的该第一主表面,并包括具有不同发光尖峰波长的复数种萤光材料。
地址 日本