| 摘要 |
MRAM의 MTJ 소자의 형성 전에 성막된 금속막을 확실하게 평탄화할 수 있는 평탄화 방법을 제공한다. 웨이퍼(W)에 있어서, SiO막(42)에 매설된 Cu막(43)을 성막한 후, Cu막(43)의 표면에 산소의 GCIB를 조사해서 Cu막(43)을 평탄화하고, Ta막(44)을 성막한 후나, Ru막(45) 또는 Ta막(46)을 성막한 후, Ta막(44), Ru막(45) 또는 Ta막(46)에 산소의 GCIB를 조사해서 Ta막(44), Ru막(45) 또는 Ta막(46)을 평탄화하고, 또한 PtMn막(47)을 성막한 후, PtMn막(47)의 표면에 산소의 GCIB를 조사해서 PtMn막(47)을 평탄화하고, 그 후, CoFe 박막(55) 및 Ru 박막(56)을 성막하고, 또한 CoFeB 박막(51), MgO 박막(50) 및 CoFeB 박막(52)을 이 순서대로 성막함으로써 MTJ 소자(48)를 형성한다. |
