| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。<pb pnum="1" /> | ||
| 申请公布号 | CN105047715A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510219477.3 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑荣钟;李正允;慎居明;申东石;李始炯;郑*珍 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，所述第一多沟道有源图案包括，第一部分，具有在向上方向上比所述场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，和第二部分，在所述第一部分的两侧，所述第二部分具有在所述向上方向上比所述场绝缘层的顶表面进一步突出且在所述向上方向上比所述第一部分的顶表面突出得少的顶表面，所述第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在所述第一多沟道有源图案的所述第一部分上，所述栅电极沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在所述第一多沟道有源图案的所述第二部分上并接触所述场绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||