发明名称 |
形成图案的方法 |
摘要 |
本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括:(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤;(b)对被处理体进行处理,以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤;(c)在对被处理体进行处理的步骤之后,在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤;(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后,对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子,并将该二次电子照射到被处理体的步骤;和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后,在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。 |
申请公布号 |
CN105051870A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201480016295.X |
申请日期 |
2014.04.09 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
森北信也;西村荣一;山下扶美子 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳;朱弋 |
主权项 |
一种在被处理体的基底层上形成图案的方法,其特征在于,包括:在所述基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤;对所述被处理体进行处理,以使得在所述嵌段共聚物层形成包含所述第一聚合物的第一区域和包含所述第二聚合物的第二区域的步骤;在对所述被处理体进行处理的步骤之后,在电容耦合型的等离子体处理装置内对所述第二区域进行蚀刻直至所述第二区域的膜厚的中途的步骤;在对所述第二区域进行蚀刻的步骤之后,对所述等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子,并将所述二次电子照射到所述被处理体的步骤;和在将所述二次电子照射到所述被处理体的步骤之后,在所述等离子体处理装置内进一步对所述第二区域进行蚀刻的步骤。 |
地址 |
日本东京都 |