一种薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法。本发明的制作方法在薄膜晶体管中形成漏极偏移区和源极偏移区，且所述源极偏移区中至少一部分区域对应的半导体层厚度小于所述沟道区对应的半导体层厚度，所述漏极偏移区中至少一部分区域对应的半导体层厚度小于所述沟道区对应的半导体层厚度；本发明的制作方法可以使得利用厚度较小的偏移区来改善热载流子效应，减小了TFT体积，提升了阵列基板的开口率，降低了背光源的功耗。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在所述基板衬底上方形成半导体层；对所述半导体层进行图形化处理，以形成所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层包括：依次连接的源极偏移区、沟道区和漏极偏移区，所述源极偏移区中至少一部分区域对应的半导体层厚度小于所述沟道区对应的半导体层厚度，所述漏极偏移区中至少一部分区域对应的半导体层厚度小于所述沟道区对应的半导体层厚度；在所述有源层的两侧分别形成源极区和漏极区，所述源极区与所述源极偏移区连接，所述漏极区与所述漏极偏移区连接；在所述有源层上形成栅极绝缘层，以及在所述栅极绝缘层上形成所述薄膜晶体管的栅极；在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上开设漏极过孔和源极过孔，所述漏极过孔和所述源极过孔穿过所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，并分别延伸至所述漏极区和所述源极区；在所述第一绝缘层上形成所述薄膜晶体的漏电极和源电极；其中，所述漏电极通过所述漏极过孔与所述漏极区连接，所述源电极通过所述源极过孔与所述源极区连接。