发明名称 |
具有双稳态电路与非挥发性元件之记忆电路 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI508063 |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
TW102117352 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
发明人 |
周藤悠介;山本修一郎;菅原聪 |
分类号 |
G11C11/16;G11C13/00;G11C16/02 |
主分类号 |
G11C11/16 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种记忆电路,其特征在于具备:双稳态电路,可记忆资料;非挥发性元件,可非挥发性地储存前述双稳态电路中记忆之资料,并将已非挥发性地储存之资料重存于前述双稳态电路中;及控制部,可在不从前述双稳态电路读取或写入资料之期间较预定期间长时,非挥发性地储存前述双稳态电路中记忆之资料,并阻断前述双稳态电路之电源,且在不进行前述资料之读取或写入之期间短于前述预定期间时,不进行非挥发性地储存前述双稳态电路中记忆之资料,而使前述双稳态电路之电源电压低于对前述双稳态电路读取或写入资料之期间之电压。
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地址 |
日本 |