发明名称 标靶,及其制造方法,记忆体,以及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI507553 申请公布日期 2015.11.11
申请号 TW099121921 申请日期 2010.07.02
申请人 新力股份有限公司 发明人 大场和博;加守雄一;木村均
分类号 C23C14/06;C23C14/34 主分类号 C23C14/06
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于制造含有硫族元素之一标靶之方法,其包括以下步骤:使用选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta及镧系元素组成之群组之至少一种耐火金属元素及该群组之外的一额外元素形成一合金锭块,其中该群组之外的该额外元素系选自由Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe、Si、Mg及Ga组成之群组之至少一种元素;粉碎该合金锭块;及使用该经粉碎之合金锭块及选自由S、Se及Te组成之群组之至少一种硫族元素形成一标靶。
地址 日本