自对准沟槽之形成方法

主权项

一种形成装置之方法，该方法包括：在基板上形成多晶矽层；在该基板中形成第一组沟槽，其中该多晶矽层之剩余部分保留于该基板上该第一组沟槽间之沟槽间区域中；使用填充剂材料填充该第一组沟槽，其中该填充剂材料向上至少延伸至毗邻该多晶矽层之该等剩余部分的程度；自该等沟槽间区域选择性蚀刻该多晶矽层之该等剩余部分；在该等沟槽间区域中之该填充剂材料侧壁上形成间隔层；及在该基板中之该等间隔层间蚀刻出第二组沟槽。