一种半导体芯片结构和芯片中金属熔丝的制作方法

摘要

本申请实施例提供一种半导体芯片结构和芯片中金属熔丝的制作方法，该方法具体包括：对位于硅衬底上表面的厚度为d1的第一金属层进行刻蚀，在硅衬底的上表面形成包括至少两个厚度为d1，宽度为w1的金属块；在第一金属层的上表面形成厚度为d2的钝化层；对钝化层进行刻蚀，在至少两个金属块中的每个金属块上表面形成一厚度为d2，宽度为w2的第二开口；在钝化层上表面形成厚度为d3的第二金属层，对第一金属层和第二金属层进行合金化处理，使对应第二开口处的第二金属层和第一金属层紧密结合；对所述第二金属层进行刻蚀，以在所述至少两个第二开口中的每两个第二开口之间同时形成一金属熔丝及与所述金属熔丝不在同一位置的加厚的压焊块。

主权项

一种半导体芯片中金属熔丝的制作方法，其特征在于，具体包括：对位于硅衬底上表面的厚度为d1的第一金属层进行刻蚀，在所述硅衬底的上表面形成包括至少两个厚度为d1，宽度为w1的金属块，其中，每两个金属块之间形成一第一开口；在所述第一金属层的上表面形成厚度为d2的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，在所述至少两个金属块中的每个金属块上表面形成一厚度为d2，宽度为w2的第二开口，所述d2大于等于所述d1，且小于等于所述d1和所述d2之和，所述w2小于所述w1；在所述钝化层上表面形成厚度为d3的第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀，以在所述至少两个第二开口中的每两个第二开口之间同时形成一金属熔丝及与所述金属熔丝不在同一位置的加厚的压焊块。