发明名称 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明实施例提供薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时,实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复,提高薄膜晶体管阵列基板的良品率,提升薄膜晶体管阵列基板的稳定性。该薄膜晶体管阵列基板包括基板,设置于基板上的栅线和公共电极线,设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层,设置于栅绝缘层上的有源层,设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层,源极与有源层相接触,漏极与有源层相接触,漏极与像素电极层相接触并电连接,源极包含至少一个第一修复线,数据线包含至少一个第二修复线,栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区。
申请公布号 CN102998869B 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201210546053.4 申请日期 2012.12.14
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 张明;李琳;田川;宗志强
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板,设置于所述基板上的栅线和公共电极线,设置于所述栅线和公共电极线上的栅绝缘层,设置于所述栅绝缘层上的有源层,设置于所述有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层,其中,所述源极与所述有源层相接触,所述漏极与所述有源层相接触,所述漏极与所述像素电极层相接触并电连接,其特征在于,所述源极包含至少一个第一修复线,所述数据线包含至少一个第二修复线,所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区,在制作所述薄膜晶体管阵列基板的过程中,所述第一修复线与所述冗余区之间形成有过孔,所述第二修复线与所述冗余区之间形成有过孔,以使所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号