发明名称 |
石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构的制备方法,包括以下步骤:制备一基底;将一自支撑的碳纳米管膜结构转移至金属箔表面,在所述碳纳米管膜结构远离所述金属箔的一表面覆盖金属层;在所述基底上生长石墨烯,形成基底和石墨烯复合结构;刻蚀处理所述基底和石墨烯的复合结构,去除所述金属箔和金属层,得到所述石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构结构。与现有技术相比,本发明采用自支撑的碳纳米管膜结构和石墨烯彼此复合形成的石墨烯/碳纳米管/石墨烯三明治结构,使得石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构的力学性能和导电性能都得到提升,使得复合结构中石墨烯的比表面积得到了很大的提升。 |
申请公布号 |
CN105036114A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510451290.6 |
申请日期 |
2015.07.29 |
申请人 |
苏州捷迪纳米科技有限公司 |
发明人 |
李翔;李达;朱四美;徐建保;李清文;金赫华 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 |
代理人 |
杨林洁 |
主权项 |
一种石墨烯‑碳纳米管‑石墨烯复合结构的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:制备一基底:将一自支撑的碳纳米管膜结构转移至一金属箔表面,在所述自支撑的碳纳米管膜结构远离所述金属箔的一表面覆盖一金属层;在所述基底上生长石墨烯,形成基底和石墨烯复合结构;刻蚀处理所述基底和石墨烯复合结构,去除所述金属箔和金属层,得到所述石墨烯‑碳纳米管‑石墨烯复合结构。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |