发明名称 一种硅片清洗方法、及清洗装置
摘要 本申请公开了一种硅片清洗方法、及清洗装置,该清洗方法包括步骤:(1)、把柠檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒温的侵泡槽内,加热至65±5℃;(2)、搅拌直至柠檬酸完全溶解;(3)、恒温条件下侵泡时间在2~3小时。本发明的优点在于:(1)、可以提高70%以上流失的柠檬酸,可以多次侵泡;(2)、缓解企业废水处理压力;(3)、降低生产用水,因按一定比例调和的水和柠檬酸可以重复使用,从而节约了水用量。
申请公布号 CN105047538A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510465070.9 申请日期 2015.07.31
申请人 江苏奥能光电科技有限公司 发明人 李小勇
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 陆华君
主权项 一种硅片清洗方法,其特征在于,包括步骤:(1)、把柠檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒温的侵泡槽内,加热至65±5℃;(2)、搅拌直至柠檬酸完全溶解;(3)、恒温条件下侵泡时间在2~3小时。
地址 215638 江苏省苏州市张家港市经济开发区汤桥中路8号(江苏奥能光电科技有限公司)