发明名称 |
一种硅片清洗方法、及清洗装置 |
摘要 |
本申请公开了一种硅片清洗方法、及清洗装置,该清洗方法包括步骤:(1)、把柠檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒温的侵泡槽内,加热至65±5℃;(2)、搅拌直至柠檬酸完全溶解;(3)、恒温条件下侵泡时间在2~3小时。本发明的优点在于:(1)、可以提高70%以上流失的柠檬酸,可以多次侵泡;(2)、缓解企业废水处理压力;(3)、降低生产用水,因按一定比例调和的水和柠檬酸可以重复使用,从而节约了水用量。 |
申请公布号 |
CN105047538A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510465070.9 |
申请日期 |
2015.07.31 |
申请人 |
江苏奥能光电科技有限公司 |
发明人 |
李小勇 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
陆华君 |
主权项 |
一种硅片清洗方法,其特征在于,包括步骤:(1)、把柠檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒温的侵泡槽内,加热至65±5℃;(2)、搅拌直至柠檬酸完全溶解;(3)、恒温条件下侵泡时间在2~3小时。 |
地址 |
215638 江苏省苏州市张家港市经济开发区汤桥中路8号(江苏奥能光电科技有限公司) |