| 发明名称 | 用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底以及生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。本发明的优点在于在保证深能级掺杂浓度导致高阻特性同时，也能很好地保证外延层优良的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105047695A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510315457.6 | 申请日期 | 2015.06.10 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 闫发旺;张峰;王文宇 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底，包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||