发明名称 |
简单且无成本的多次可编程结构 |
摘要 |
本发明提出一种用于非易失性存储单元的简单且无成本的多次可编程结构。该存储单元包括备有隔离井的基板、设置于该基板中的HV井区域以及第一与第二井。该存储单元进一步包括彼此相邻且设置于该第二井之上的具有选择栅极的第一晶体管以及具有浮动栅极的第二晶体管。所述晶体管包括设置邻近于所述栅极的侧边的第一以及第二扩散区域。控制栅极设置于该第一井之上并耦合至该浮动栅极。该控制及浮动栅极包括延伸跨过该第一及第二井的相同栅极层。该控制栅极包括电容。 |
申请公布号 |
CN105047667A |
申请公布日期 |
2015.11.11 |
申请号 |
CN201510177999.1 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
D·P-C·岑;傅仰伟;U·辛格;孙远;M·A·貌貌 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种非易失性多次可编程存储单元,包括:备有隔离井的基板;设置于该隔离井内的高电压井区域;设置于该高电压井区域内的第一及第二井;彼此相邻且设置于该第二井之上的具有选择栅极的第一晶体管以及具有浮动栅极的第二晶体管,所述晶体管包括设置邻近于所述栅极的侧边的第一及第二扩散区域;以及设置于该第一井之上的控制栅极,其中,该控制栅极耦合至该浮动栅极,并且该控制栅极及浮动栅极包含延伸跨过该第一及第二井的相同的栅极层,以及该控制栅极包括电容。 |
地址 |
新加坡新加坡城 |