半导体装置的制造方法

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成闸极电极层；在该闸极电极层上形成闸极绝缘膜；以与该闸极电极层重叠的方式在该闸极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；对该氧化物半导体膜进行热处理，以去除该氧化物半导体膜中的氢原子；以与该氧化物半导体膜电连接的方式形成源极电极层及汲极电极层；以与该氧化物半导体膜接触的方式在该氧化物半导体膜、该源极电极层及汲极电极层上形成绝缘膜；对该绝缘膜进行氧掺杂处理，以对该绝缘膜供应氧原子。