| 摘要 |
ESD 내량이 높은 반도체 장치를 제공하기 위해, 소스 배선 (32a) 은, NMOS 트랜지스터 (30) 의 영역에 있어서 게이트 (31) 및 소스 (32) 상에 형성된다. 소스 배선 (32a) 은, 게이트 (31) 와 소스 (32) 와 접지 단자를 전기적으로 접속한다. 드레인 배선 (33a) 은, NMOS 트랜지스터 (30) 의 영역에 있어서 드레인 (33) 상에 형성된다. 드레인 배선 (33a) 은, 드레인 (33) 과 외부 접속용 전극인 패드 (20) 를 전기적으로 접속한다. 또, NMOS 트랜지스터 (30) 의 영역에 있어서, 드레인 배선 (33a) 은, 소스 배선 (32a) 의 배선폭과 동일한 배선폭을 갖는다. |
