放熱基板と、それを使用した半導体用モジュール

摘要

【課題】表面に欠陥の少ない金属層を持ち、線膨張係数が6.5ppm/K以上15ppm/K以下の範囲にあり、熱伝導率が420W/m・K以上である放熱基板と、それを使用した半導体用モジュールを提供することを課題とする。【解決手段】主金属と添加金属およびダイヤモンドの粉末を混合し、その混合粉末を型押しした後に液相焼結を行い、得られた複合材の表面にメッキにより金属層を形成し、のちに加熱し加圧する固相焼結を行うことにより、表面に欠陥の少ない金属層を有する放熱基板を得る。【選択図】 図１