发明名称 |
CARBON FILM FORMATION METHOD, AND CARBON FILM |
摘要 |
일실시형태에 따른 탄소막 형성 방법은, 피처리체를 수용한 처리실에 메틸기를 갖는 방향족 탄화수소 가스를 공급하고, 처리실로부터 차폐부에 의해 분리된 플라즈마 생성실에 있어서 희가스의 플라즈마를 생성하고, 차폐부의 개구를 통해서 플라즈마 중의 입자를 처리실에 공급하여, 그 입자를 상기 방향족 탄화수소 가스에 조사함으로써, π 공액계 고리형 구조 또는 π 공액계 사슬형 구조를 갖는 탄소막을 피처리체 상에 형성한다. |
申请公布号 |
KR20150125942(A) |
申请公布日期 |
2015.11.10 |
申请号 |
KR20157023324 |
申请日期 |
2014.01.30 |
申请人 |
TOKYO ELECTRON LIMITED;TOHOKU UNIVERSITY |
发明人 |
KIKUCHI YOSHIYUKI;SAMUKAWA SEIJI |
分类号 |
C23C16/26;C23C16/27;C23C16/455 |
主分类号 |
C23C16/26 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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