| 摘要 |
1. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) на полупроводниковой подложке, характеризующийся тем, что содержит:эмиттерную область n-типа, которая формируется в такой зоне, чтобы выходить на верхнюю поверхность полупроводниковой подложки;верхнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже эмиттерной области;плавающую область n-типа, которая формируется ниже верхней области подложки и отделена от эмиттерной области верхней областью подложки;нижнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже плавающей области и отделена от верхней области подложки плавающей областью;канал, который формируется в верхней поверхности полупроводниковой подложки и проходит сквозь эмиттерную область, верхнюю область подложки, плавающую область и нижнюю область подложки;изолирующую пленку затвора, покрывающую внутреннюю поверхность канала; иэлектрод затвора, расположенный внутри канала, в которомкогда распределение концентрации примесей p-типа в верхней области подложки и в плавающей области, которые расположены ниже эмиттерной области, рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, концентрация примесей p-типа снижается по мере увеличения расстояния сверху вниз от верхней границы верхней области подложки, расположенной ниже эмиттерной области, и принимает значение локального минимума на заданной глубине плавающей области.2. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, чтокогда распределение концентрации примесей n-типа в плавающей области рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, значение локального максимума концентрации примесей n-типа в пл |
