Halbleitervorrichtung

摘要

Ein MOSFET umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat (10) mit einer Hauptfläche (10A), die einen Abweichungswinkel in Bezug auf eine {0001}-Ebene aufweist, und eine Source-Elektrode (40), die in Kontakt mit der Hauptfläche (10A) gebildet ist. Eine Basisfläche (10C) ist in wenigstens einem Abschnitt einer Kontaktgrenzfläche des Siliziumkarbid-Substrats (10) mit der Ohmschen Elektrode (40) freigelegt. Mit einem derartigen Aufbau, wird eine Änderung der Schwellenspannung im MOSFET unterdrückt.