发明名称 ラジカルの化学的性質の複数の流れ経路を使用した調節及び制御
摘要 <p>半導体処理チャンバに関連するシステム及び方法が記載されている。例示のチャンバは、チャンバの第1のアクセスと流動的に結合された第1の遠隔プラズマシステムと、チャンバの第2のアクセスと流動的に結合された第2の遠隔プラズマシステムとを含むことができる。本システムはさらに、第1の前駆体と第2の前駆体がチャンバの処理領域の中へ送られるまで第1の前駆体と第2の前駆体を互いに流動的に分離した状態に維持しながら、第1の前駆体と第2の前駆体の両方をチャンバの処理領域の中へ送るように構成することができるチャンバのガス分配アセンブリも含むことができる。【選択図】図4</p>
申请公布号 JP2015532016(A) 申请公布日期 2015.11.05
申请号 JP20150533084 申请日期 2013.08.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065;H01L21/205 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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