メモリセルおよび磁気メモリセル構造のアレイの形成方法、ならびに関連するメモリセルおよびメモリセル構造

摘要

メモリセル、磁気メモリセル構造、および磁気メモリセル構造のアレイを形成する方法が開示される。本方法の実施形態は、前駆構造をパターニングして階段状構造を形成することを含む。この階段状構造は、上部個別フィーチャ部と、上部個別フィーチャ部よりも広い幅、長さまたは双方を有する下部フィーチャ部とを少なくとも含む。本方法は、第１の軸（例えば、ｘ軸）に沿ってパターニングした後、第２の軸（例えば、ｙ軸）に沿ってパターニングする処理を含む。第２の軸（例えば、ｙ軸）は、第１の軸に垂直であるかまたは略垂直である。よって、これらのパターニング処理により、約３０ナノメートル未満の寸法においても，複数の形成された隣接セルコア構造間の均一性の増加が可能となる。磁気メモリ構造およびメモリセルアレイも開示される。【選択図】図２９