发明名称 | 导电盲孔结构及其制法 | ||
摘要 | 一种导电盲孔结构及其制法,该导电盲孔结构的制法,通过先形成穿孔于一封装胶体上,再形成介电层于该封装胶体上,且该介电层填满该些穿孔,之后形成盲孔于该介电层上,且该盲孔位于该些穿孔中,最后形成导电材于该盲孔中。藉由先将该介电层填满该些穿孔,再形成该盲孔于该些穿孔中的介电层中,以改善该些穿孔的壁面的粗糙度。 | ||
申请公布号 | CN105023910A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
申请号 | CN201410198024.2 | 申请日期 | 2014.05.12 |
申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 陈彦亨;林畯棠;纪杰元;詹慕萱 |
分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 一种导电盲孔结构,包括:封装胶体,其具有连通至该封装胶体外部的多个穿孔;介电层,其形成于该封装胶体上并填充该些穿孔,且于该些穿孔中形成有盲孔;以及导电材,其填充于该盲孔中。 | ||
地址 | 中国台湾台中市 |