发明名称 半导体辐射探测器
摘要 本发明涉及一种用于探测辐射,特别是探测在计算机断层摄影系统中使用的X射线辐射的探测器(6)。所述探测器包括用于将辐射转换成电子和空穴的直接转换材料(9),所述电子和空穴用于生成电探测信号。利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料,以用于减小,具体为用于消除所述直接转换材料的极化,所述极化可以发生在由要被探测的辐射穿过所述直接转换材料时,并且所述极化可以降低探测性能。通过减小所述直接转换材料的所述极化,能够提高所述探测性能。
申请公布号 CN105026958A 申请公布日期 2015.11.04
申请号 CN201480011455.1 申请日期 2014.02.28
申请人 皇家飞利浦有限公司 发明人 F·韦尔巴凯尔;K·J·恩格尔;A·J·M·内利森;H·K·维乔雷克;E·C·E·范格鲁斯温;I·M·布勒维;R·斯特德曼布克
分类号 G01T1/24(2006.01)I 主分类号 G01T1/24(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 李光颖;王英
主权项 一种用于探测辐射的探测器,所述探测器(6、106、206、306、406)包括:‑阳极(10、110、210、410)、阴极(8、108、208、408)以及用于将辐射(4、304)转换成电子和空穴的中间直接转换材料(9、109、209、409),其中,所述电子能由所述阳极(10、110、210、410)来收集,‑探测信号生成器(11、111、211、411),其用于取决于收集到的电子来生成探测信号,‑照射器(7、112、113、212、213、313、413),其用于利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光(115、215、315、415)来照射所述直接转换材料(9、109、209、409)。
地址 荷兰艾恩德霍芬