非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法。所述非易失性存储器包括衬底；部分嵌入所述衬底内的两个分离的结构单元，每个结构单元包括依次设置的耦合介质、浮栅、支撑介质和侧壁，所述耦合介质和所述浮栅嵌入所述衬底内，所述侧壁设置于所述两个分离的结构单元之间且贴附所述耦合介质、浮栅、支撑介质；填充在所述两个分离的结构单元之间的耦合传导介质，所述耦合介质、支撑介质和侧壁包围所述浮栅，所述浮栅与所述耦合传导介质隔离；位于所述结构单元外侧的衬底表面的隧道介质；位于所述隧道介质上的控制栅极，所述控制栅极与所述浮栅隔离。本发明的非易失性存储器构简单，制作方便，有利于进一步的减小存储单元的尺寸。

主权项

一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成衬底及依次位于所述衬底表面的隧道介质层、控制栅极层、刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层、控制栅极层、隧道介质层和衬底，在所述刻蚀阻挡层、控制栅极层、隧道介质层形成开口，在所述衬底内形成沟槽；在所述沟槽内壁及所述开口的侧壁形成耦合介质层，在所述耦合介质层内嵌入浮栅，所述浮栅的表面高于所述衬底的表面；在所述开口侧壁形成位于所述浮栅表面的两个分离的第一支持介质层；以所述刻蚀阻挡层和所述第一支撑介质层为掩摸，刻蚀所述浮栅和耦合介质层形成两个分离的结构单元；在所述两个分离的结构单元之间形成贴附所述耦合介质层、浮栅、第一支撑介质层的侧壁层；在所述两个分离的结构单元之间填充耦合传导层，所述浮栅与所述耦合传导层隔离；去除所述刻蚀阻挡层，在所述开口的侧壁的耦合介质层的外侧且在所述控制栅极层上形成贴附所述耦合介质层的第二支撑介质层；以所述第二支撑介质层为掩膜刻蚀所述隧道介质层、控制栅极层，形成控制栅极和隧道介质，所述控制栅极与所述浮栅隔离。