| 发明名称 | 覆晶式半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种覆晶式半导体发光元件，包括从上到下依次排列的基板、N型半导体层、发光活性层、P型半导体层及分别形成在P型半导体层及N型半导体层上的P电极、N电极，基板远离发光活性层的一侧表面为上表面，所述上表面上设置有间隔的、尺寸为微米级的主体部，所述主体部的外表面上设置有尺寸为纳米级的凸起。一种覆晶式半导体发光元件的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105023983A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410167575.2 | 申请日期 | 2014.04.24 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 叶小勤 |
| 主权项 | 一种覆晶式半导体发光元件，包括从上到下依次排列的基板、N型半导体层、发光活性层、P型半导体层及分别形成在P型半导体层及N型半导体层上的P电极、N电极，其特征在于：基板远离发光活性层的一侧表面为上表面，所述上表面上设置有间隔的、尺寸为微米级的主体部，所述主体部的外表面上设置有尺寸为纳米级的凸起。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||