硅控整流器

摘要

本发明提出一种硅控整流器，其包含：基板；设置于基板的第一侧且彼此相邻的N井区和P井区；设置于N井区的上表面且彼此相邻的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区；设置于P井区的上表面的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；隔离第一P型掺杂区与第二N型掺杂区的第一氧化隔离区；隔离第二N型掺杂区与第二P型掺杂区的第二氧化隔离区；耦接于第一N型掺杂区与第一P型掺杂区的阳极端；以及耦接于第二N型掺杂区与第二P型掺杂区的阴极端。第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的百分之八十。上述硅控整流器的架构在无需增加信道长度和使用额外辅助电路的情况下，便能有效提高硅控整流器的保持电压。

主权项

一种硅控整流器，其包含：一基板；一N井区，设置于该基板的一第一侧；一P井区，设置于该基板的该第一侧，且与该N井区相邻；一第一N型掺杂区，设置于该N井区的一上表面；一第一P型掺杂区，设置于该N井区的该上表面，且与该第一N型掺杂区相邻；一第二N型掺杂区，设置于该P井区的一上表面；一第二P型掺杂区，设置于该P井区的该上表面；一第一氧化隔离区，设置于该N井区的该上表面的局部区域与该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第一P型掺杂区与该第二N型掺杂区；一第二氧化隔离区，设置于该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；一阳极端，耦接于该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区；以及一阴极端，耦接于该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；其中，该第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于该第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的百分之八十。