数据存储方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

摘要

本发明提供一种数据存储方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。本方法包括记录每一物理抹除单元的每一预设区域的错误比特数目；且判断是否物理抹除单元的物理程序化单元的其中一个预设区域的错误比特数目大于错误比特数目门槛值。本方法还包括倘若物理抹除单元的物理程序化单元的其中一个预设区域的该错误比特数目大于该错误比特数目门槛值时，对此物理抹除单元进行抹除操作之后，使用第二程序化模式来存储数据。基此，本发明的数据存储方法可有效地使用不良的物理抹除单元，达到能够延长存储器存储装置的寿命的效用。

主权项

一种数据存储方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，该可复写式非易失性存储器模块具有多个物理抹除单元，每一该些物理抹除单元具有多个物理程序化单元，且每一该些物理抹除单元的该些物理程序化单元包括多个下物理程序化单元与多个上物理程序化单元，该数据存储方法包括：选择该些物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元，其中该第一物理抹除单元的每一物理程序化单元具有一个或多个预设区域；使用一第一程序化模式来存储一第一数据，其中该第一数据被程序化至该第一物理抹除单元的该些下物理程序化单元的至少其中之一与该些上物理程序化单元的至少其中之一；记录该第一物理抹除单元的每一该些预设区域的一错误比特数目；判断是否该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的所述预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于一错误比特数目门槛值；以及倘若该第一物理抹除单元的该些物理程序化单元的该些预设区域之中的至少其中一个预设区域的该错误比特数目大于该错误比特数目门槛值时，在将该第一物理抹除单元中的该第一数据抹除之后，使用一第二程序化模式来存储一第二数据，其中使用该第一程序化模式对该可复写式非易失性存储器模块进行程序化操作时所需要的程序化次数大于使用该第二程序化模式对该可复写式非易失性存储器模块进行程序化操作时所需要的程序化次数。