| 发明名称 |
鳍型场效电晶体元件及其制造方法;FIN-LIKE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
本揭露提供了一种鳍型场效电晶体(FinFET)元件之一实施例。此元件，包括位于一基板上之复数个第一鳍结构。上述第一鳍结构包括：一第一半导体材料层；一第二半导体材料层，设置于该第一半导体材料层上，由至少为一半导体氧化物构件所部分环绕。此元件亦包括：一第三半导体材料层，设置于该第二半导体材料层上，以及一第二鳍结构，位于该基板上且邻近于该些第一鳍结构之一。上述第二鳍结构包括该第一半导体材料层，及设置于该介电层上之该第三半导体材料层。 |
| 申请公布号 |
TW201541640 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
| 申请号 |
TW104113170 |
申请日期 |
2015.04.24 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
江国诚 CHING, KUO CHENG;冯 家馨 FUNG, KA-HING;吴 志强 WU, ZHIQIANG |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
