垂直奈米线电晶体通道的图案化及具有定向自组装的闸极;PATTERNING OF VERTICAL NANOWIRE TRANSISTOR CHANNEL AND GATE WITH DIRECTED SELF ASSEMBLY

摘要

定向自组装(DSA)材料或双嵌段共聚物系可基于微影操作来图案化特征，该等特征最终界定一垂直奈米线电晶体之一通道区域及一闸极电极。在实施例中，DSA材料系被局限于利用微影术图案化之一导引开口中。在实施例中，通道区域与闸极电极材料系对准于在DSA材料中之分化区域的边缘。