| 主权项 |
一种记忆胞，包含：一半导体基体，具有一第一沟槽及一第二沟槽，该第一沟槽及该第二沟槽形成一半导体隆起结构，该半导体隆起结构具有一源极区及一汲极区，且该源极区及该汲极区由一通道区垂直分隔，其中该第一沟槽及该第二沟槽于该半导体基体中延伸至一超过该通道区之深度；一第一闸极电极，包含于该第一沟槽中，并沿该半导体隆起结构之一第一侧垂直延伸；一第二闸极电极，包含于该第二沟槽中，并沿该半导体隆起结构之一相对于该第一侧之第二侧垂直延伸；一局部隔离介电材料设置于该第一沟槽及该第二沟槽中，并且邻接该第一闸极电极及该第二闸极电极的顶面及侧壁；以及一第一金属接触，包含于一位于该半导体基体上之介电材料中，并连接该源极区及该汲极区至一资料储存元件以储存资料。
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