发明名称 半导体发光装置
摘要
申请公布号 TWI506819 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW100121859 申请日期 2011.06.22
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 伊藤久贵;中村年孝;藤井宏中
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体发光装置,其包含:一用于元件安装之基板;一设置于该基板上之线路;一设置于该基板上且电连接于该线路之LED元件;一用于囊封该LED元件之囊封树脂层;及一含有磷光体材料且转换由该LED元件发射之光之波长的波长转换层,其中该波长转换层系设置于该LED元件之上侧上,且一漫反射树脂层以该LED元件之侧面被其包围的状态设置,该波长转换层之该LED元件面侧的面积以面积比计为该LED元件之一上表面上的发光区域面积之至少两倍大,且该漫反射树脂层系由含有透明树脂及折射率不同于该透明树脂之无机填充剂的树脂组合物之固化材料形成,且在430nm波长下该漫反射树脂层之漫反射率为80%或更大。
地址 日本